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Transistoren-Bipolar (BJT)-RF

15GN01MA-TL-E

15GN01MA-TL-E

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von 15GN01MA-TL-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	15GN01MA-TL-E	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN BIPO 50MA 8V MCP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	871157 pcs stock	Datenblatt	15GN01MA-TL-E.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	8V	Transistor-Typ	NPN
Supplier Device-Gehäuse	3-MCP	Serie	-
Leistung - max	400mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	3-SMD, Gull Wing	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen	-	Frequenz - Übergang	1.5GHz
detaillierte Beschreibung	RF Transistor NPN 8V 50mA 1.5GHz 400mW Surface Mount 3-MCP	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	200 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max)	50mA

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