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Transistoren-Bipolar (BJT)-RF
2N5770_D26Z

2N5770_D26Z

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
2N5770_D26Z
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92
Datenblätte:
2N5770_D26Z.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
5207 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von 2N5770_D26Z

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Artikelnummer 2N5770_D26Z Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5207 pcs stock Datenblatt 2N5770_D26Z.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V Transistor-Typ NPN
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 Serie -
Leistung - max 350mW Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen 15dB Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung RF Transistor NPN 15V 50mA 350mW Through Hole TO-92-3 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50mA Basisteilenummer 2N5770
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