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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

2SC5706-TL-H

2SC5706-TL-H

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von 2SC5706-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	2SC5706-TL-H	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 50V 5A TP-FA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	129641 pcs stock	Datenblatt	2SC5706-TL-H.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	240mV @ 100mA, 2A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	2-TP-FA
Serie	-	Leistung - max	800mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	2SC5706-TL-HOSCT	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	400MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	200 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	5A

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