Artikelnummer | 2SK3666-3-TB-E | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 531296 pcs stock | Datenblatt | 2SK3666-3-TB-E.pdf |
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA | Supplier Device-Gehäuse | 3-CP |
Serie | - | Resistance - RDS (on) | 200 Ohms |
Leistung - max | 200mW | Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Andere Namen | 869-1107-1 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
Typ FET | N-Channel | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP | Aktuelle Drain (Id) - Max | 10mA |
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 1.2mA @ 10V | Basisteilenummer | 2SK3666 |
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