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2SK3666-3-TB-E

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
2SK3666-3-TB-E
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Datenblätte:
2SK3666-3-TB-E.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
531296 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von 2SK3666-3-TB-E

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer 2SK3666-3-TB-E Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung JFET N-CH 10MA 200MW 3CP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 531296 pcs stock Datenblatt 2SK3666-3-TB-E.pdf
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id 180mV @ 1µA Supplier Device-Gehäuse 3-CP
Serie - Resistance - RDS (on) 200 Ohms
Leistung - max 200mW Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Andere Namen 869-1107-1
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V
Typ FET N-Channel Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
detaillierte Beschreibung JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP Aktuelle Drain (Id) - Max 10mA
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) 1.2mA @ 10V Basisteilenummer 2SK3666
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