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Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays
FDS89141

FDS89141

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
FDS89141
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Datenblätte:
FDS89141.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
81776 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von FDS89141

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer FDS89141 Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 81776 pcs stock Datenblatt FDS89141.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 3.5A, 10V
Leistung - max 1.6W Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Andere Namen FDS89141-ND
FDS89141TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 10V Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.5A 1.6W Surface Mount 8-SO Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A
Ausschalten

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