Artikelnummer | FDS8935 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 92968 pcs stock | Datenblatt | FDS8935.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 183 mOhm @ 2.1A, 10V |
Leistung - max | 1.6W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Andere Namen | FDS8935-ND FDS8935TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 879pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V | Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SO | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.1A |
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