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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
FJNS3203RBU

FJNS3203RBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
FJNS3203RBU
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Datenblätte:
FJNS3203RBU.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
5873 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von FJNS3203RBU

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer FJNS3203RBU Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5873 pcs stock Datenblatt FJNS3203RBU.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse TO-92S
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Ausschalten

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