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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

FJP1943OTU

FJP1943OTU

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von FJP1943OTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	FJP1943OTU	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP 230V 15A TO-220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4833 pcs stock	Datenblatt	1.FJP1943OTU.pdf2.FJP1943OTU.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	230V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	3V @ 800mA, 8A
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	-	Leistung - max	80W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	30MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 80W Through Hole TO-220-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 1A, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	5µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	15A

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