Artikelnummer | J113_D26Z | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 4062 pcs stock | Datenblatt | J113_D26Z.pdf |
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id | 500mV @ 1µA | Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 35V |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 | Serie | - |
Resistance - RDS (on) | 100 Ohms | Leistung - max | 625mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | Typ FET | N-Channel |
detaillierte Beschreibung | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 | Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 2mA @ 15V |
Basisteilenummer | J113 |
FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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