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MMDF1N05ER2G

MMDF1N05ER2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
MMDF1N05ER2G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Datenblätte:
MMDF1N05ER2G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
5674 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von MMDF1N05ER2G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer MMDF1N05ER2G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5674 pcs stock Datenblatt MMDF1N05ER2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.5A, 10V
Leistung - max 2W Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Andere Namen MMDF1N05ER2GOSCT
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual) FET-Merkmal Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A Basisteilenummer MMDF1N05E
Ausschalten

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