Artikelnummer | NDS9958 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 5223 pcs stock | Datenblatt | NDS9958.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
Leistung - max | 900mW | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Andere Namen | NDS9958TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 525pF @ 10V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Typ FET | N and P-Channel | FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A |
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