Artikelnummer | NSVB143ZPDXV6T1G | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS BRT 50V 100MA SOT563 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 463037 pcs stock | Datenblatt | NSVB143ZPDXV6T1G.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 11 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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