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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
NSVMUN531335DW1T3G

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
NSVMUN531335DW1T3G
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
Datenblätte:
NSVMUN531335DW1T3G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
700168 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von NSVMUN531335DW1T3G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer NSVMUN531335DW1T3G Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 700168 pcs stock Datenblatt NSVMUN531335DW1T3G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie Automotive, AEC-Q101 Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms, 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms, 2.2 kOhms Leistung - max 385mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 40 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang - detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
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