Artikelnummer | NTD20N03L27 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge | 5039 pcs stock | Datenblatt | NTD20N03L27.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 10A, 5V |
Verlustleistung (max) | 1.75W (Ta), 74W (Tc) | Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
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