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NTHD5902T1

NTHD5902T1

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Artikelnummer:
NTHD5902T1
Hersteller / Marke:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
Datenblätte:
NTHD5902T1.pdf
RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers:
5750 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von NTHD5902T1

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Artikelnummer NTHD5902T1 Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 5750 pcs stock Datenblatt NTHD5902T1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Supplier Device-Gehäuse ChipFET™
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 2.9A, 10V
Leistung - max 1.1W Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead Andere Namen NTHD5902T1OS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual) FET-Merkmal Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A  
Ausschalten

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