Artikelnummer | NTHD5902T1 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge | 5750 pcs stock | Datenblatt | NTHD5902T1.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | ChipFET™ |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
Leistung - max | 1.1W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead | Andere Namen | NTHD5902T1OS |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) | FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.9A |
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