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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased

SMUN5235DW1T3G

SMUN5235DW1T3G

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Spezifikationen von SMUN5235DW1T3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Artikelnummer	SMUN5235DW1T3G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	660777 pcs stock	Datenblatt	SMUN5235DW1T3G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	2.2 kOhms	Leistung - max	187mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	40 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 5mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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