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Transistoren-Bipolar (BJT)-RF

NE85633-T1B-R23-A

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CEL (California Eastern Laboratories)

Spezifikationen von NE85633-T1B-R23-A

CEL (California Eastern Laboratories)

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Artikelnummer	NE85633-T1B-R23-A	Hersteller	CEL (California Eastern Laboratories)
Beschreibung	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5080 pcs stock	Datenblatt	NE85633-T1B-R23-A.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	12V	Transistor-Typ	NPN
Supplier Device-Gehäuse	SOT-23	Serie	-
Leistung - max	200mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen	11.5dB	Frequenz - Übergang	7GHz
detaillierte Beschreibung	RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	NE85633

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