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CY14B116M-BZ45XIT

CY14B116M-BZ45XIT

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Cypress Semiconductor

Spezifikationen von CY14B116M-BZ45XIT

Cypress Semiconductor

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Artikelnummer	CY14B116M-BZ45XIT	Hersteller	Cypress Semiconductor
Beschreibung	IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1658 pcs stock	Datenblatt	CY14B116M-BZ45XIT.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	45ns	Spannungsversorgung	2.7 V ~ 3.6 V
Technologie	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Supplier Device-Gehäuse	165-FBGA (15x17)
Serie	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	165-LBGA	Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Speichertyp	Non-Volatile	Speichergröße	16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle	Parallel	Speicherformat	NVSRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit	9 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung	NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 45ns 165-FBGA (15x17)	Zugriffszeit	45ns

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