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CY7C1320KV18-250BZXI

CY7C1320KV18-250BZXI

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Cypress Semiconductor

Spezifikationen von CY7C1320KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

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Artikelnummer	CY7C1320KV18-250BZXI	Hersteller	Cypress Semiconductor
Beschreibung	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3595 pcs stock	Datenblatt	CY7C1320KV18-250BZXI.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.9 V
Technologie	SRAM - Synchronous, DDR II	Supplier Device-Gehäuse	165-FBGA (13x15)
Serie	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	165-LBGA	Andere Namen	428-3301 CY7C1320KV18-250BZXI-ND CY7C1320KV18250BZXI
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	18Mb (512K x 36)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM	Hersteller Standard Vorlaufzeit	15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	detaillierte Beschreibung	SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
Uhrfrequenz	250MHz	Basisteilenummer	CY7C1320

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