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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
DCX114EU-13R-F

DCX114EU-13R-F

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
Artikelnummer:
DCX114EU-13R-F
Hersteller / Marke:
Diodes Incorporated
Produktbeschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Datenblätte:
DCX114EU-13R-F.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1841398 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DCX114EU-13R-F

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
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Artikelnummer DCX114EU-13R-F Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1841398 pcs stock Datenblatt DCX114EU-13R-F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SOT-363
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen DCX114EU-13R-FDI Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Ausschalten

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