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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased

DCX144EU-7-F

DCX144EU-7-F

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Diodes Incorporated

Spezifikationen von DCX144EU-7-F

Diodes Incorporated

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Artikelnummer	DCX144EU-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	540907 pcs stock	Datenblatt	DCX144EU-7-F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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