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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased

DDTB114GU-7-F

DDTB114GU-7-F

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Diodes Incorporated

Spezifikationen von DDTB114GU-7-F

Diodes Incorporated

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Artikelnummer	DDTB114GU-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	979898 pcs stock	Datenblatt	DDTB114GU-7-F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	PNP - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SOT-323
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Leistung - max	200mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	DDTB114GU-7-FDICT
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	200MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA

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