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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DDTC113TE-7

DDTC113TE-7

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
Artikelnummer:
DDTC113TE-7
Hersteller / Marke:
Diodes Incorporated
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Datenblätte:
DDTC113TE-7.pdf
RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers:
651681 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DDTC113TE-7

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
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Artikelnummer DDTC113TE-7 Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 651681 pcs stock Datenblatt DDTC113TE-7.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SOT-523
Serie - Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms
Leistung - max 150mW Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-523 Andere Namen DDTC113TEDITR
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer DDTC113  
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