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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased

DDTD142TU-7-F

DDTD142TU-7-F

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Diodes Incorporated

Spezifikationen von DDTD142TU-7-F

Diodes Incorporated

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Artikelnummer	DDTD142TU-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1008142 pcs stock	Datenblatt	DDTD142TU-7-F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SOT-323
Serie	-	Widerstand - Basis (R1)	470 Ohms
Leistung - max	200mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	DDTD142TU-FDITR
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	16 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	200MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 5mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA	Basisteilenummer	DTD142

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