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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DRDPB16W-7

DRDPB16W-7

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
Artikelnummer:
DRDPB16W-7
Hersteller / Marke:
Diodes Incorporated
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
Datenblätte:
DRDPB16W-7.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
418574 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DRDPB16W-7

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
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Artikelnummer DRDPB16W-7 Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 418574 pcs stock Datenblatt DRDPB16W-7.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased + Diode Supplier Device-Gehäuse SOT-363
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms Leistung - max 200mW
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen DRDPB16WDIDKR Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 200MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA
Basisteilenummer DRDPB16  
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