Diodes Incorporated
Diodes Incorporated| Artikelnummer | HTMN5130SSD-13 | Hersteller | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 86225 pcs stock | Datenblatt | HTMN5130SSD-13.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Leistung - max | 1.7W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Andere Namen | HTMN5130SSD-13DI HTMN5130SSD-13DI-ND HTMN5130SSD-13DITR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 218.7pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V | Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.6A |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
|---|---|---|
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