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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays

MMDT4401-7-F

MMDT4401-7-F

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Diodes Incorporated

Spezifikationen von MMDT4401-7-F

Diodes Incorporated

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Artikelnummer	MMDT4401-7-F	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1125757 pcs stock	Datenblatt	MMDT4401-7-F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	40V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	750mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ	2 NPN (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-363
Serie	-	Leistung - max	200mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen	MMDT4401-FDITR MMDT44017F	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 150mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	600mA
Basisteilenummer	MMDT4401

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