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Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays
ZXMP3F37DN8TA

ZXMP3F37DN8TA

Diodes Incorporated
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
Artikelnummer:
ZXMP3F37DN8TA
Hersteller / Marke:
Diodes Incorporated
Produktbeschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO
Datenblätte:
ZXMP3F37DN8TA.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
4855 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Diodes Incorporated

Spezifikationen von ZXMP3F37DN8TA

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
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Artikelnummer ZXMP3F37DN8TA Hersteller Diodes Incorporated
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4855 pcs stock Datenblatt ZXMP3F37DN8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.1A, 10V
Leistung - max 1.81W Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Andere Namen ZXMP3F37DN8TADI
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1678pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.6nC @ 10V
Typ FET 2 P-Channel (Dual) FET-Merkmal Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A  
Ausschalten

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