Artikelnummer | SI3469DV-T1-GE3 | Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 118946 pcs stock | Datenblatt | SI3469DV-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.14W (Ta) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Andere Namen | SI3469DV-T1-GE3TR SI3469DVT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel | FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 5A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A (Ta) |
FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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