Artikelnummer | SI8800EDB-T2-E1 | Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 362555 pcs stock | Datenblatt | SI8800EDB-T2-E1.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 4-Microfoot |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 4-XFBGA, CSPBGA | Andere Namen | SI8800EDB-T2-E1TR SI8800EDBT2E1 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 46 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 8V |
Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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