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GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
GeneSiC SemiconductorGeneSiC Semiconductor
Artikelnummer:
GB01SLT12-252
Hersteller / Marke:
GeneSiC Semiconductor
Produktbeschreibung:
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Datenblätte:
GB01SLT12-252.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
53437 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von GB01SLT12-252

GeneSiC SemiconductorGeneSiC Semiconductor
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Artikelnummer GB01SLT12-252 Hersteller GeneSiC Semiconductor
Beschreibung DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 53437 pcs stock Datenblatt GB01SLT12-252.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 1A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V
Supplier Device-Gehäuse TO-252 Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 1242-1126-6 Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 19 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Silicon Carbide Schottky detaillierte Beschreibung Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Surface Mount TO-252
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2µA @ 1200V Strom - Richt (Io) 1A
Kapazität @ Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz  
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