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GB02SHT06-46

GB02SHT06-46

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GeneSiC Semiconductor

Spezifikationen von GB02SHT06-46

GeneSiC Semiconductor

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Artikelnummer	GB02SHT06-46	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE SCHOTTKY 600V 4A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2134 pcs stock	Datenblatt	GB02SHT06-46.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6V @ 1A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	600V
Supplier Device-Gehäuse	TO-46	Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	0ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Andere Namen	1242-1256	Betriebstemperatur - Anschluss	-55°C ~ 225°C
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	18 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Silicon Carbide Schottky	detaillierte Beschreibung	Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole TO-46
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 600V	Strom - Richt (Io)	4A (DC)
Kapazität @ Vr, F	76pF @ 1V, 1MHz

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