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GBU10A

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GeneSiC Semiconductor

Spezifikationen von GBU10A

GeneSiC Semiconductor

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Artikelnummer	GBU10A	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE BRIDGE 50V 10A GBU	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	77926 pcs stock	Datenblatt	1.GBU10A.pdf2.GBU10A.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	50V	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 10A
Technologie	Standard	Supplier Device-Gehäuse	GBU
Serie	-	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	4-SIP, GBU	Andere Namen	GBU10AGN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Diodentyp	Single Phase
detaillierte Beschreibung	Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 50V
Strom - Richt (Io)	10A

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