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KBL602G

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GeneSiC Semiconductor

Spezifikationen von KBL602G

GeneSiC Semiconductor

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Artikelnummer	KBL602G	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE BRIDGE 100V 6A KBL	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	110202 pcs stock	Datenblatt	1.KBL602G.pdf2.KBL602G.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	100V	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 6A
Technologie	Standard	Supplier Device-Gehäuse	KBL
Serie	-	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	4-SIP, KBL	Andere Namen	KBL602GGN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Diodentyp	Single Phase
detaillierte Beschreibung	Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole KBL	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 100V
Strom - Richt (Io)	6A

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