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FII50-12E

FII50-12E

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IXYS Corporation

Spezifikationen von FII50-12E

IXYS Corporation

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Artikelnummer	FII50-12E	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5957 pcs stock	Datenblatt	FII50-12E.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device-Gehäuse	ISOPLUS i4-PAC™	Serie	-
Leistung - max	200W	Verpackung / Gehäuse	i4-Pac™-5
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	2nF @ 25V
Eingang	Standard	IGBT-Typ	NPT
detaillierte Beschreibung	IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™	Strom - Collector Cutoff (Max)	400µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	50A	Konfiguration	Half Bridge

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