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IXDN75N120

IXDN75N120

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IXYS Corporation

Spezifikationen von IXDN75N120

IXYS Corporation

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Artikelnummer	IXDN75N120	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	IGBT 1200V 150A SOT-227B	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3261 pcs stock	Datenblatt	IXDN75N120.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 75A
Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B	Serie	-
Leistung - max	660W	Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	5.5nF @ 25V	Eingang	Standard
IGBT-Typ	NPT	detaillierte Beschreibung	IGBT Module NPT Single 1200V 150A 660W Chassis Mount SOT-227B
Strom - Collector Cutoff (Max)	4mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	150A
Konfiguration	Single

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