IXYS Corporation
IXYS Corporation| Artikelnummer | IXFN100N65X2 | Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH | Bleifreier Status / RoHS Status | |
| Verfügbare Menge | 3433 pcs stock | Datenblatt | IXFN100N65X2.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B |
| Serie | HiPerFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 595W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 24 Weeks | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 183nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 78A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 78A (Tc) | ||
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