Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.

Zuhause
Produkte
Diskrete Halbleiter-Produkte
Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DTA123YUAT106

DTA123YUAT106

DTA123YUAT106 Image
Bild kann Darstellung sein.
Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
DTA123YUAT106
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Datenblätte:
1.DTA123YUAT106.pdf2.DTA123YUAT106.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
3586174 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ONLINE-ANFRAGE

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen aus. Klicken Sie auf " SENDEN RFQ "
. Wir werden Sie in Kürze per E-Mail kontaktieren. Oder mailen Sie uns: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 3586174 pcs Referenzpreis (in US-Dollar)

  • 3000 pcs
    $0.013
  • 6000 pcs
    $0.012
  • 15000 pcs
    $0.01
  • 30000 pcs
    $0.009
  • 75000 pcs
    $0.008
  • 150000 pcs
    $0.007
Zielpreis(USD):
Menge:
Bitte geben Sie uns Ihr Kursziel an, wenn die Mengen größer als die angezeigten sind.
Gesamt: $0.00
DTA123YUAT106
Unternehmen
Kontaktname
Email
Nachricht
DTA123YUAT106 Image

Spezifikationen von DTA123YUAT106

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Klicken Sie auf das Leerzeichen, um es automatisch zu schließen)
Artikelnummer DTA123YUAT106 Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 3586174 pcs stock Datenblatt 1.DTA123YUAT106.pdf2.DTA123YUAT106.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen DTA123YUAT106-ND
DTA123YUAT106TR		 Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer DTA123
Ausschalten

relevante Produkte

Verwandte Tags

Heiße Informationen