Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.

Zuhause
Produkte
Diskrete Halbleiter-Produkte
Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
DTC123YCAHZGT116

DTC123YCAHZGT116

DTC123YCAHZGT116 Image
Bild kann Darstellung sein.
Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
DTC123YCAHZGT116
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Datenblätte:
1.DTC123YCAHZGT116.pdf2.DTC123YCAHZGT116.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1672571 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ONLINE-ANFRAGE

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen aus. Klicken Sie auf " SENDEN RFQ "
. Wir werden Sie in Kürze per E-Mail kontaktieren. Oder mailen Sie uns: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 1672571 pcs Referenzpreis (in US-Dollar)

  • 1 pcs
    $0.075
  • 10 pcs
    $0.069
  • 25 pcs
    $0.063
  • 100 pcs
    $0.045
  • 250 pcs
    $0.027
  • 500 pcs
    $0.022
  • 1000 pcs
    $0.015
Zielpreis(USD):
Menge:
Bitte geben Sie uns Ihr Kursziel an, wenn die Mengen größer als die angezeigten sind.
Gesamt: $0.00
DTC123YCAHZGT116
Unternehmen
Kontaktname
Email
Nachricht
DTC123YCAHZGT116 Image

Spezifikationen von DTC123YCAHZGT116

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Klicken Sie auf das Leerzeichen, um es automatisch zu schließen)
Artikelnummer DTC123YCAHZGT116 Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1672571 pcs stock Datenblatt 1.DTC123YCAHZGT116.pdf2.DTC123YCAHZGT116.pdf
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor-Typ NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse SST3 Serie Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Leistung - max 350mW Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Andere Namen DTC123YCAHZGT116CT
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Ausschalten

relevante Produkte

Verwandte Tags

Heiße Informationen