Artikelnummer | DTC123YCAHZGT116 | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1672571 pcs stock | Datenblatt | 1.DTC123YCAHZGT116.pdf2.DTC123YCAHZGT116.pdf |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased + Diode |
Supplier Device-Gehäuse | SST3 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms | Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 350mW | Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Andere Namen | DTC123YCAHZGT116CT |
Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 33 @ 10mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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