Artikelnummer | EMH9FHAT2R | Hersteller | LAPIS Semiconductor |
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Beschreibung | NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 1128203 pcs stock | Datenblatt | 1.EMH9FHAT2R.pdf2.EMH9FHAT2R.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms | Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | EMH9FHAT2RTR | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
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