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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
EMH9FHAT2R

EMH9FHAT2R

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
EMH9FHAT2R
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Datenblätte:
1.EMH9FHAT2R.pdf2.EMH9FHAT2R.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1128203 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von EMH9FHAT2R

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Artikelnummer EMH9FHAT2R Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1128203 pcs stock Datenblatt 1.EMH9FHAT2R.pdf2.EMH9FHAT2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) - VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse EMT6
Serie Automotive, AEC-Q101 Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen EMH9FHAT2RTR Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) - Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Ausschalten

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