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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays
IMT1AT110

IMT1AT110

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Artikelnummer:
IMT1AT110
Hersteller / Marke:
LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Datenblätte:
1.IMT1AT110.pdf2.IMT1AT110.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1010874 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IMT1AT110

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Artikelnummer IMT1AT110 Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1010874 pcs stock Datenblatt 1.IMT1AT110.pdf2.IMT1AT110.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) Supplier Device-Gehäuse SMT6
Serie - Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457
Andere Namen IMT1AT110-ND
IMT1AT110TR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 140MHz detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150mA Basisteilenummer *MT1
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