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RLD2WMFL1-NEW

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LAPIS Semiconductor

Spezifikationen von RLD2WMFL1-NEW

LAPIS Semiconductor

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Artikelnummer	RLD2WMFL1-NEW	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	LASER DIODE 660NM 780NM 7MW	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5218 pcs stock	Datenblatt
Wellenlänge	660nm, 780nm	Spannung - Eingang	1.8 ~ 2.3 V, 2.3 ~ 2.7 V
Serie	-	Leistung (W)	7mW
Verpackung / Gehäuse	-	Andere Namen	Q5382543
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung	Laser Diode 660nm, 780nm 7mW 1.8 ~ 2.3 V, 2.3 ~ 2.7 V 18mA	Aktuelle Bewertung	18mA

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