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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

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Micron Technology

Spezifikationen von EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Micron Technology

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Artikelnummer	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR	Hersteller	Micron Technology
Beschreibung	IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6306 pcs stock	Datenblatt
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	1.14 V ~ 1.95 V
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2	Serie	-
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Andere Namen	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR-ND EDB4432BBBJ-1DAUT-F-RTR
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C (TC)	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Speichertyp	Volatile	Speichergröße	4Gb (128M x 32)
Speicherschnittstelle	Parallel	Speicherformat	DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	detaillierte Beschreibung	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
Uhrfrequenz	533MHz

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  FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
  DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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