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APTGT200H60G

APTGT200H60G

Microsemi
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
MicrosemiMicrosemi
Artikelnummer:
APTGT200H60G
Hersteller / Marke:
Microsemi
Produktbeschreibung:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
Datenblätte:
1.APTGT200H60G.pdf2.APTGT200H60G.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
989 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von APTGT200H60G

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Artikelnummer APTGT200H60G Hersteller Microsemi
Beschreibung IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 989 pcs stock Datenblatt 1.APTGT200H60G.pdf2.APTGT200H60G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Supplier Device-Gehäuse SP6 Serie -
Leistung - max 625W Verpackung / Gehäuse SP6
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) NTC-Thermistor No
Befestigungsart Chassis Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 32 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 12.3nF @ 25V Eingang Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop detaillierte Beschreibung IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 290A 625W Chassis Mount SP6
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 290A
Konfiguration Full Bridge Inverter  
Ausschalten

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