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JAN1N647-1

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
MicrosemiMicrosemi
Artikelnummer:
JAN1N647-1
Hersteller / Marke:
Microsemi
Produktbeschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Datenblätte:
JAN1N647-1.pdf
RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers:
4046 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Artikelnummer JAN1N647-1 Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 4046 pcs stock Datenblatt JAN1N647-1.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 400mA Spannung - Sperr (Vr) (max) 400V
Supplier Device-Gehäuse DO-35 Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie - Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse DO-204AH, DO-35, Axial Andere Namen 1086-15181
1086-15181-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 50nA @ 400V Strom - Richt (Io) 400mA
Kapazität @ Vr, F -  
Ausschalten

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