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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays
JANTXV2N6987

JANTXV2N6987

Microsemi
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Produktdetails siehe Spezifikationen.
MicrosemiMicrosemi
Artikelnummer:
JANTXV2N6987
Hersteller / Marke:
Microsemi
Produktbeschreibung:
TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
Datenblätte:
JANTXV2N6987.pdf
RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers:
1658 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Artikelnummer JANTXV2N6987 Hersteller Microsemi
Beschreibung TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 1658 pcs stock Datenblatt JANTXV2N6987.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ 4 PNP (Quad) Supplier Device-Gehäuse -
Serie Military, MIL-PRF-19500/558 Leistung - max 1.5W
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Andere Namen 1086-3095
1086-3095-MIL
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 23 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang - detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA  
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