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A2T18S260W12NR3

A2T18S260W12NR3

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NXP Semiconductors / Freescale

Spezifikationen von A2T18S260W12NR3

NXP Semiconductors / Freescale

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Artikelnummer	A2T18S260W12NR3	Hersteller	NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	525 pcs stock	Datenblatt
Spannung - Prüfung	28V	Spannung - Nennwert	65V
Transistor-Typ	LDMOS	Supplier Device-Gehäuse	OM-880X-2L2L
Serie	-	Leistung	280W
Verpackung / Gehäuse	OM-880X-2L2L	Andere Namen	935313167528
Rauschmaß	-	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)
Gewinnen	18.7dB	Frequenz	1.805GHz ~ 1.88GHz
detaillierte Beschreibung	RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L	Aktuelle Bewertung	10µA
Strom - Test	1.5A

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