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Diskrete Halbleiter-Produkte
Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
PDTD123TK,115

PDTD123TK,115

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
NXP Semiconductors / Freescale
Artikelnummer:
PDTD123TK,115
Hersteller / Marke:
NXP Semiconductors / Freescale
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Datenblätte:
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
4044 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von PDTD123TK,115

NXP Semiconductors / Freescale
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Artikelnummer PDTD123TK,115 Hersteller NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4044 pcs stock Datenblatt
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SMT3; MPAK
Serie - Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Leistung - max 250mW Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Andere Namen 934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 50mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA Basisteilenummer PDTD123
Ausschalten

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