Panasonic
Panasonic| Artikelnummer | DRA5115G0L | Hersteller | Panasonic |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 1043476 pcs stock | Datenblatt | DRA5115G0L.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | SMini3-F2-B |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
| Leistung - max | 150mW | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-85 | Andere Namen | DRA5115G0L-ND DRA5115G0LTR |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 11 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | DRA5115 | ||
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