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RMLV0416EGSB-4S2#HA1

RMLV0416EGSB-4S2#HA1

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Renesas Electronics AmericaRenesas Electronics America
Artikelnummer:
RMLV0416EGSB-4S2#HA1
Hersteller / Marke:
Renesas Electronics America
Produktbeschreibung:
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
Datenblätte:
RMLV0416EGSB-4S2#HA1.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
20247 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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Spezifikationen von RMLV0416EGSB-4S2#HA1

Renesas Electronics AmericaRenesas Electronics America
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Artikelnummer RMLV0416EGSB-4S2#HA1 Hersteller Renesas Electronics America
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 20247 pcs stock Datenblatt RMLV0416EGSB-4S2#HA1.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 45ns Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Technologie SRAM Supplier Device-Gehäuse 44-TSOP2
Serie - Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Andere Namen RMLV0416EGSB-4S2#HA1CT
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours) Speichertyp Volatile
Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat SRAM Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant detaillierte Beschreibung SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP2
Zugriffszeit 45ns  
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